1dnm制程(第七代 10nm 级别工艺)的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。 三星已计划无限期推迟大规模量产,直至良品率达到既定目标。为此,三星可能会全面审查工艺流程,以进一步提升良品率。 按照原计划,三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E,即第九代HBM解决方案。
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